Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU9N25TU

MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU9N25TU

FQU9N25TU Hakkında

FQU9N25TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 7.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 420mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate drive voltajında çalışır ve ±30V maksimum gate-source gerilimi toleransındadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok