Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU8P10TU
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU8P10TU
FQU8P10TU Hakkında
FQU8P10TU, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 6.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 530mOhm on-resistance değeri ve 15nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 44W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Gerilim regülatörleri, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve genel amaçlı elektronik devrelerde kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilim ile çalışabilir ve 10V drive voltage'da optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok