Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU7N20TU
MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU7N20TU
FQU7N20TU Hakkında
FQU7N20TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim ve 5.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 690mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 2.5W (Ta) ile 45W (Tc) güç tüketim yeteneğine sahiptir. Power supply kontrol devreleri, motor sürücü uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 10nC gate charge karakteristiği ile düşük enerji uygulamalarına uygundur. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 2.65A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok