Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU7N10LTU
MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU7N10L
FQU7N10LTU Hakkında
FQU7N10LTU, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 5.8A sürekli drenaj akımı sağlar. TO-251-3 (IPAK) kapsülü ile Through Hole montajına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate voltajında 350mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 290pF giriş kapasitanısı ve 6nC gate charge değeri ile hızlı komutasyon özellikleri sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2.5W (Ta) güç tüketimi ile verimli tasarımlar gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok