Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU6N50CTU
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU6N50C
FQU6N50CTU Hakkında
FQU6N50CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251 (IPAK) paketinde sunulur ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve inverter tasarımlarında kullanılır. 25nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 61W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok