Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU6N25TU

MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU6N25T

FQU6N25TU Hakkında

FQU6N25TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj (Vdss) ve 4.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 1Ohm maksimum on-resistance değeri ile güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FQU6N25TU, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Gate charge karakteristiği (8.5nC @ 10V) hızlı anahtarlama süresi sağlar. Maksimum 45W ısı dağıtma kapasitesi ile tasarlanmıştır. Parça obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok