Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU5N60CTU
FQU5N60CTU Hakkında
FQU5N60CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.5Ohm maksimum Rds(On) değeri ile verimli anahtar görevi yapar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürücüler, oto kontrol sistemleri, endüstriyel sürücü devreleri ve yüksek gerilim anahtar uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 19nC ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok