Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU5N50CTU-WS
MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU5N50CTU
FQU5N50CTU-WS Hakkında
FQU5N50CTU-WS, onsemi tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. TO-251-3 (IPAK) kasa tipinde üretilmiştir. 25°C sıcaklıkta 4A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Maksimum gate şarj miktarı 10V'ta 24nC olup, on-resistance değeri 2A ve 10V gate voltajında 1.4Ω'dur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum power dissipation 48W'dir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, elektrik motor kontrol devreleri, endüstriyel invertörler ve AC/DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate voltajı ve 625pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok