Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU5N50CTU

MOSFET N-CH 500V 4A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU5N50C

FQU5N50CTU Hakkında

FQU5N50CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Gate kapasitansı 625 pF ve gate şarjı 24 nC'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynağı devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve switched-mode power supply (SMPS) tasarımlarında kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok