Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU4P25TU

MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU4P25TU

FQU4P25TU Hakkında

FQU4P25TU, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, invertör devrelerde ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımında kullanılır. 2.1Ω maximum on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar. 45W ısı dağılım kapasitesi (Tc), yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok