Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU4N50TU-WS
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU4N50TU
FQU4N50TU-WS Hakkında
FQU4N50TU-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 10V gate sürüş geriliminde 2.7Ω maksimum RDS(On) değeri ile verimli güç transfer sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 45W(Tc) maksimum güç yayılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 13nC gate charge ve 460pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok