Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU4N50TU
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU4N50TU
FQU4N50TU Hakkında
FQU4N50TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 2.7Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-251-3 (IPak) kasa tipinde üretilen bu bileşen, sağlık cihazları, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynağı sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok