Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU4N25TU
MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU4N25TU
FQU4N25TU Hakkında
FQU4N25TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü geriliminde 1.75Ω RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrollerinde ve güç dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 5.6nC gate charge ve 200pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlamaya uygun bir tasarıma sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok