Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU4N20TU

MOSFET N-CH 200V 3A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU4N20TU

FQU4N20TU Hakkında

FQU4N20TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazlara uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında sürücü devreler, konvertörler ve motor kontrolü sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün hali hazırda kullanım dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok