Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU3P50TU

MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU3P50TU

FQU3P50TU Hakkında

FQU3P50TU, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source voltaj derecelendirilmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.1A sürekli drenaj akımı ve 4.9Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 2.5W güç tüketimi (Ta) ve 50W (Tc) ile endüstriyel uygulamalarda çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sunmaktadır. TO-251-3 (IPAK) paketinde üretilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 23 nC Gate Charge ve 660 pF Input Capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok