Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU3N60TU

MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU3N60TU

FQU3N60TU Hakkında

FQU3N60TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 2.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 3.6Ω maksimum RDS(on) değeriyle güç kaybını minimize ederek verimli çalışma sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan FQU3N60TU, anahtarlama güç kaynakları, SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve diyode yerine geçen (freewheeling) konfigürasyonlarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok