Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU3N60TU
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU3N60TU
FQU3N60TU Hakkında
FQU3N60TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmek için kullanılır. 3.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir transistördür. Bileşen mevcut durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok