Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU3N60CTU

MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU3N60CTU

FQU3N60CTU Hakkında

FQU3N60CTU, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 2.4A sürekli dren akımı özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 3.4Ω on-state direnç değeriyle anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi aplikasyonlarında ve invertör sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 50W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile kontrollü enerji dağıtımı gerektiren endüstriyel ve ticari elektronik uygulamalarına uygundur. Ürün şu anda Obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 565 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4Ohm @ 1.2A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok