Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU2N90TU

MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU2N90TU

FQU2N90TU Hakkında

FQU2N90TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilim (Vdss) ve 1.7A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 7.2Ω on-state direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve yüksek gerilim anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. 15nC gate charge ve 500pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok