Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU2N90TU
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU2N90TU
FQU2N90TU Hakkında
FQU2N90TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetim uygulamalarında ve yüksek voltaj konvertörlerinde yer alır. 7.2Ω maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 2.5W (Ta) güç tüketimi ile termal yönetimi kolaylaştırır. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında switchmode güç kaynakları, motor kontrol ve koruma devrelerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 850mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok