Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU2N80TU
MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU2N80TU
FQU2N80TU Hakkında
FQU2N80TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilim desteği ve 1.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V drive voltajında 6.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. TO-251-3 (IPAK) paket türü ile PCB'ye Through Hole montajı destekler. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, switch-mode power supplies ve diğer anahtarlama devrelerinde uygulanır. 2.5W (Ta) maksimum güç tüketimi ile tasarım sınırlamaları dikkate alınmalıdır. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok