Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU2N60TU
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU2N60TU
FQU2N60TU Hakkında
FQU2N60TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 4.7Ω @ 1A, 10V koşullarında ölçülmüştür. Gate charge değeri 11nC @ 10V olup, input kapasitansi 350pF @ 25V'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum gate gerilimi ±30V, threshold gerilimi ise 5V @ 250µA'dir. Maksimum güç disipasyonu Ta=25°C'de 2.5W, Tc=25°C'de 45W olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok