Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU2N60TU
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU2N60TU
FQU2N60TU Hakkında
FQU2N60TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.7Ω maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde ve switched mode power supply (SMPS) uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 2.5W (Ta) güç tüketimi ile enerji verimliliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok