Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU2N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU2N60CTU
FQU2N60CTU Hakkında
FQU2N60CTU, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET güç transistörüdür. TO-251-3 (IPak) konfigürasyonda sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 1.9A sürekli dren akımı kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. 4.7Ω maksimum on-direnci ve 12nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem garantisi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 950mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok