Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU2N50BTU
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU2N50BTU
FQU2N50BTU Hakkında
FQU2N50BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde yer alır. 5.3Ω (10V, 800mA'de) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Ancak ürün obsolete (üretim durdurulmuş) durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif bileşen seçimi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok