Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU20N06TU

MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU20N06TU

FQU20N06TU Hakkında

FQU20N06TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 16.8A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 63mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük konduktif kayıplar sağlar. Endüstriyel motor kontrolleri, güç yönetim devreleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 8.4A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok