Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU20N06LTU

MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU20N06LTU

FQU20N06LTU Hakkında

FQU20N06LTU, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 17.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 5V ve 10V gate drive voltajında minimum 60mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. Düşük gate charge (13nC @ 5V) sayesinde hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında istikrarlı performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve benzer güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 8.6A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok