Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU1N80TU
MOSFET N-CH 800V 1A I-PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU1N80TU
FQU1N80TU Hakkında
FQU1N80TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, elektrik motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 20Ohm maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok