Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU1N60TU
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU1N60TU
FQU1N60TU Hakkında
FQU1N60TU, onsemi tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini sağlar. TO-251 (I-PAK) paketlemesi sayesinde kompakt tasarımlara uyum sağlar. 10V gate sürücü geriliminde 11.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklığı aralığında çalışabilir. Güç kaynağı yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 2.5W (Ta) güç tüketimi ile düşük kayıp işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok