Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU1N60TU
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU1N60TU
FQU1N60TU Hakkında
FQU1N60TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 1A sürekli drenaj akımı (Id) ile çalışabilen bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 11.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç kaynakları, motor sürücüleri, LED kontrolü ve anahtarlama güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir. 6nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok