Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU1N50TU
MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU1N50TU
FQU1N50TU Hakkında
FQU1N50TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim kapasitesi ve 1.1A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç denetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel elektronik uygulamalarda yer alır. 9Ohm maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 550mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok