Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU17P06TU
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU17P06
FQU17P06TU Hakkında
FQU17P06TU, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajına ve 12A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulmaktadır. 135mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, koruma devreleri ve düşük-sinyal kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Gate charge 27nC ve input capacitance 900pF özellikleriyle hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok