Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQU13N10TU

MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FQU13N10TU

FQU13N10TU Hakkında

FQU13N10TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan transistör, 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 2.5W (Ta) ve 40W (Tc) güç tüketimi kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok