Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU13N10LTU
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU13N10L
FQU13N10LTU Hakkında
FQU13N10LTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan transistör, düşük on-dirençi (Rds On: 180mOhm @ 10V) sayesinde güç kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu FET, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 5V ve 10V drive voltage seçenekleri ile esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok