Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU12N20TU
FQU12N20TU Hakkında
FQU12N20TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi, 9A sürekli drain akımı ve 280mΩ on-state direnci ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (I-PAK) paketlemesi ile PCB'ye montajı kolaydır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, endüstriyel ve tüketici elektroniği alanında switching uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. 23nC gate charge ve 910pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok