Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU10N20TU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU10N20TU
FQU10N20TU Hakkında
FQU10N20TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 360mΩ maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde, 3.8A akımda) ile verimli geçiş performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 18nC gate charge değeri hızlı komütasyon uygulamalarında tercih edilir. Düşük giriş kapasitansi (670pF @ 25V) ile kontrol devreleri için uygun bir seçimdir. İnverter, DC-DC konvertör ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş olup, yeni tasarımlarda yerine konacak alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok