Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU10N20LTU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU10N20LTU
FQU10N20LTU Hakkında
FQU10N20LTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 7.6A sürekli drain akımı (Id) ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 360mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketindeki bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor sürücülerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok