Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQU10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQU10N20C
FQU10N20CTU Hakkında
FQU10N20CTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj sınırı ve 7.8A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 360mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FQU10N20CTU, switching uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 50W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle genel endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok