Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQT7N10TF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQT7N10TF
FQT7N10TF Hakkında
FQT7N10TF, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 350mΩ on-state direnci (@10V) ile minimum güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arası geniş sıcaklık aralığında stabil çalışır. Switching regülatörleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 7.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. ±25V maksimum gate-source gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 850mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok