Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQT7N10LTF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQT7N10L
FQT7N10LTF Hakkında
FQT7N10LTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 1.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 350mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip olup, düşük iletim kaybı sağlar. 6nC gate charge ve 290pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özellikleridir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, SO-223 yüzey montajlı kasa ile sunulmaktadır. Anahtarlama devre uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 850mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok