Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQT7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQT7N10L
FQT7N10LTF Hakkında
FQT7N10LTF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 1.7A sürekli akım kapasitesi ile uygulamalarda anahtarlama ve güç yönetimi görevlerini yerine getirir. 10V gate geriliminde 350mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. SOT-223-4 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama devreler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve koruma devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 6nC gate charge ve 290pF input kapasitans özellikleri hızlı anahtarlamaya elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 850mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok