Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQT5P10TF
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQT5P10TF
FQT5P10TF Hakkında
FQT5P10TF, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ile 1A sürekli akım sağlayabilen bu bileşen, 10V gate sürüm geriliminde 1.05Ω maksimum On-resistance değerine sahiptir. SOT-223-4 yüzey montajlı paket içerisinde sunulan FQT5P10TF, düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. ±30V maksimum gate-source gerilim toleransı ile geniş uygulama alanında kullanım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok