Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQT4N25TF

MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
FQT4N25T

FQT4N25TF Hakkında

FQT4N25TF, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilimi ve 830mA sürekli dren akımı ile çalışır. SOT223-4 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 1.75Ω maksimum on-state direnci ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate yükü (5.6nC @ 10V) ile verimli sürüş sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 830mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok