Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQT4N20TF
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQT4N20TF
FQT4N20TF Hakkında
FQT4N20TF, Rochester Electronics tarafından üretilen bir N-channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj ve 850mA sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 10V kapı sürüş voltajında 1.4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. SOT-223-4 surface mount paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. 2.2W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güç anahtarlama, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. 6.5nC gate charge ve 220pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 850mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 425mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok