Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQT4N20LTF
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQT4N20LTF
FQT4N20LTF Hakkında
FQT4N20LTF, onsemi tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 200V drain-source gerilim ve 850mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde 1.35Ω maksimum RDS(on) değerine ulaşır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Düşük gate charge (5.2nC @ 5V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı ağır yük uygulamalarında kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 850mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 425mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok