Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQT3P20TF_SB82100
1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQT3P20TF
FQT3P20TF_SB82100 Hakkında
FQT3P20TF_SB82100, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 670mA sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 2.7Ohm maksimum RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve sistem yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 670mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 335mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok