Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQT1N80TF
FQT1N80TF-WS Hakkında
FQT1N80TF-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20Ω RDS(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. SOT-223-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç kaynakları, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok