Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQT1N60CTF-WS
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQT1N60CTF
FQT1N60CTF-WS Hakkında
FQT1N60CTF-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim ve 200mA sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. SOT-223-4 yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uyum sağlar. 10V kapı sürücü geriliminde 11.5Ω maksimum açık durum direnci (RDS(on)) ile verimliliği artırır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 100mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok