Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF9N90CT
MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF9N90CT
FQPF9N90CT Hakkında
FQPF9N90CT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 58 nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri ile güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 68W maksimum güç dağıtımı yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok