Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF9N50YDTU
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF9N50
FQPF9N50YDTU Hakkında
FQPF9N50YDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj ve 5.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 730mΩ (10V, 2.65A'da) Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paket formatı endüstriyel ve ticari cihazlarda tercih edilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 50W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 2.65A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok